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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供(几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēn几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了g)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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